【市场表现】

今日A股大盘震荡，半导体板块强势，半导体设备领涨。截至收盘，半导体设备指数上涨5.73%，科创芯片指数上涨4.70%（注1）。

【上涨因素分析】

1、今日传3nm工艺突破，真实性存疑。另一说法是通过3D堆叠6nm/7nm芯片，在性能上媲美台积电3nm芯片。理论上利用DUV制造出所谓3nm芯片，所需工艺步骤大幅增加，尤其是直接通过增加曝光次数制造等效3nm芯片，良率会大幅降低。我们认为流传的说法有待考证，不过先进制程的突破确实是半导体行业中长期的成长叙事。(提及个股仅作为事件列示参考，不构成投资建议或承诺，基金有风险，投资需谨慎，下文同)

2、存储方面，周末某存储龙头的招股书更新。公司预计2026年1-6月实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元。

3、据华为计算公众号信息，5.22-5.23将在北京中关村国际创新中心举办鲲鹏昇腾开发者大会。

4、今年政府工作报告明确，2026年，中国将发行超长期特别国债1.3万亿元，支持“两重”（国家重大战略实施和重点领域安全能力建设）、“两新”（大规模设备更新和消费品以旧换新）。4月下旬进行了首发，从相关的信息看，算力网是政策支持的重点方向，各地算力中心建设对于国产化率等指标具备极高要求，或有力支持半导体产业成长。

【后市展望】

半导体设备方面，全球存储涨价背景下存储扩产本身存在较强需求，两存上市更为板块注入更多扩产预期。从近日某存储龙头的招书来看，即便不融资，纯靠利润也能覆盖目前市场预期的扩产需求，后续扩产的预期可能进一步上调。此外先进制程的突破和渗透为板块提供了长期成长叙事，短中长期共振，事件催化和基本面改善明显，不过也需注意波动，有兴趣的朋友可持续关注半导体设备方向。

芯片设计方面，从今年开始，国产GPU在业绩端可能走向高速放量成长节点，且因为前期的制裁导致了比较大的算力缺口，后续的放量值得期待。不过短期涨幅较大，短期波动风险需额外注意，有兴趣的朋友还是逢低和分批布局可能体验更好。

【相关产品】

国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接C(019633)

国泰上证科创板芯片ETF发起联接C(024854)

国泰半导体制造精选混合发起C(025687)

国泰CES半导体芯片行业ETF联接C(008282)

国泰中证全指集成电路ETF发起联接C(020227)

国泰上证科创板人工智能ETF发起联接C(026614)

注1：数据来源ifind，截至2026.5.20，半导体材料设备931743.CSI、科创芯片000685.SH指数的历史短期涨跌幅数据不代表未来表现，基金有风险，投资需谨慎。

上述基金（除国泰半导体制造精选混合发起C外）为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。上述基金（除国泰半导体制造精选混合发起C外）主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。

国泰上证科创板芯片ETF发起联接C、国泰上证科创板人工智能ETF发起联接C投资于科创板股票，会面临科创板机制下因投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险，包括股价波动风险、流动性风险、退市风险和投资集中风险等。

国泰半导体制造精选混合基金为混合型基金，理论上其预期风险、预期收益高于货币市场基金和债券型基金，低于股票型基金。本基金可投资港股通标的股票，会面临港股通机制下因投资环境、投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险。

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